三星2nm工藝良品率持續提升 目前已超過40%

此前有報道稱，三星在2nm（SF2）工藝的測試生產中實現了高於預期的初始良品率，達到30%以上。三星計劃在2025年第四季度量產2nm工藝，為Exynos 2600的大規模生產做好準備。

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近日三星2nm工藝開發團隊取得了令人滿意的實驗性生產里程碑，開發當中的2nm工藝在良品率方面的表現比之前的3nm工藝要更好，2nm工藝的良品率已經提升到40%以上。按照目前的推進速度，有可能剛好趕上Exynos 2600的量產。

雖然三星在2nm工藝上有了不錯的進展，但是這種表現並不足夠令人滿意。競爭對手台積電（TSMC）在去年12月對2nm工藝的試產當中，良品率就已超過60%，傳聞現在已提升至70%至80%，接近於量產的水平。

SF2集成了三星第三代GAA（Gate-All-Around）架構電晶體技術，相比於SF3（3nm），性能提高了12%，功率效率提高了25%，晶片面積減少了5%。三星還打算在2nm製程節點上引入「BSPDN（背面供電網路）」技術，將電源軌置於晶圓的背面，以消除電源線和信號線之間的瓶頸，解決FSPDN（前端供電網路）造成的前端布線堵塞問題，進一步提升性能和能效，並縮小晶片面積。