前一段時間英特爾宣布，與軟銀子公司SAIMEMORY合作，開發名為「Z-Angle Memory
（ZAM）」的新型存儲技術。英特爾和軟銀表示，雙方將聚焦下一代DRAM技術，以支持人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）日益增長的需求。
據Wccftech報道，英特爾院士兼政府技術首席技術官Joshua Fryman與英特爾日本首席執行官大野誠（Makoto Onho）共同出席了Intel Connection Japan 2026活動。令人意想不到的是，英特爾剛剛確認與SAIMEMORY的合作，便展示了ZAM原型設計，並介紹了新款內存未來的發展方向。按照英特爾的說法，在ZAM項目中將承擔「初始投資和戰略決策」的職責。
ZAM的核心在於Z-Angle架構，有別於現有HBM矽通孔（TSV）的連接方式，其採用了交錯互聯拓撲結構，即在晶片堆疊內部以對角線方式進行連接，而非直接垂直鑽孔。英特爾稱，ZAM技術上相比現有解決方案最大的優勢在於其熱管理能力。如果將ZAM與HBM相比較，可能的提升包括：
功耗降低40%至50%
通過Z-Angle架構簡化製造流程
每晶片存儲容量更高（可達512GB）
從目前的情況來看，英特爾打算利用ZAM與HBM爭奪市場。
