此前有報道稱，由於來自國內DRAM廠商的競爭壓力越來越大，三大內存原廠三星、SK海力士和美光都在考慮調整2025年的生產策略，可能會逐步停產DDR3和DDR4內存，並將產能轉移到利潤更高的DDR5和HBM產品上。
據相關媒體報道，三星已告知客戶，多款1y nm（第二代10nm級別）工藝製造的DDR4即將停產，包括8/16GB的DDR4 SODIMM/UDIMM產品，另外還有1z nm（第三代10nm級別）工藝製造的8Gb LPDDR4也將逐步停產，進入EOL階段。三星要求客戶6月前完成下單，預計10月至12月之間完成出貨。
有業內人士表示，目前中低端智慧型手機所採用的LPDDR4很大部分訂單已經被長鑫存儲（CXMT）拿走，導致三星將資源投向LPDDR5以上的高端內存產品。1z nm工藝製造的DDR4產量也在快速減少，預計2026年也會進入EOL階段。由於ODM/OEM廠商仍然有DDR4的需求，華邦電子和南亞科技打算填補三星留下的市場空缺。
有消息稱，國內DRAM廠商也在推進高端存儲產品的開發，預計2026年至2027年左右推出國產HBM3及HBM3E產品。由於來自國內DRAM廠商的激烈競爭及美國關稅政策帶來的風險增加，全球不少DRAM和NAND閃存廠商在資本支出方面仍然保持謹慎。
