早在2024年，SK海力士就已成功開發出全球首款採用1cnm（第六代10nm級別）工藝的16Gb DDR5 DRAM，展現了10nm出頭的超微細化儲存工藝技術。SK海力士在1β (b) nm（第五代10nm級別）工藝基礎上運用了新材料，並針對EUV適用工藝進行了優化，以確保成本競爭力。另外還進行了設計技術革新，生產率提高了30%以上。
據TrendForce報道，SK海力士正在加速向1cnm DRAM工藝轉型，迅速擴大生產。有消息人士透露，2026年第一季度1cnm DRAM約占SK海力士產能的10%，第二季度提高到13%，不過仍然低於三星的16%及美光的19%。SK海力士打算在第三季度進一步提升至24%，第四季度再提高到34%，從而超越同期三星的31%。預計到2027年第一季度，1cnm將首次超越1bnm，成為SK海力士第一大DRAM工藝。
與SK海力士仍然停留在1bnm工藝不同，三星在HBM4採用了1cnm工藝製造DRAM晶片。SK海力士優先考慮的是量產時的生產穩定性，以便保持出貨量的領先。三星則希望提供更強的性能，以提升競爭力，拉動出貨。由於很快HBM4E就要提上日程，SK海力士也改用1cnm工藝來製造DRAM晶片，為此需要提前做好準備。
展望更遠的未來，三星和SK海力士將在1dnm（第七代10nm級別）工藝展開競爭。三星計劃今年9月完成開發，並於12月開始量產準備，初步量產時間預計在2027年初。SK海力士要到12月才完成開發，2027年6月實現量產準備，比三星晚了大概六個月。
